中国企业实现超高压碳化硅芯片高良率量产

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日前，合肥安海半导体股份有限公司（简称安海半导体）公布，其研发的6.5kV/40mΩ与10kV/130mΩ系列碳化硅（SiC）MOSFET芯片获浙江大学电气工程学院实行查验和中国科学院电工研究所高频场控功率器件及装置产物质量查验中央现场见证测试通过，并已实现量产，两款产物良率均突破80%大关，标记着中国企业在超高压碳化硅范畴到达天下领先程度。作为第三代半导体质料的焦点应用，碳化硅器件因高功率密度、耐高压高温、低能耗等上风，在智能电网、高端装备等范畴具有紧张战略代价，而6.5kV及以上超高压碳化硅器件的制造存在工艺难度大、量产良率低等行业痛点。安海半导体依托深厚技能积聚及上卑鄙协同互助，乐成攻克这一困难，成为环球率先以高良率量产上述两款超高压芯片的厂商之一。
+ X7 c+ @% V% X% y1 E* @??检测陈诉表现，本次量产的两款芯片性能体现突出，覆盖高端电力电子高压应用区间。两款产物均实现超高耐压与低导通消耗的双重上风，为高压直挂应用提供了抱负焦点器件。这一突破将改变多个高附加值行业电气架构：在绿色船舶与高铁交通范畴，可明显低落牵引体系消耗，减小装备体积和重量，助力交通运输范畴绿色厘革；在新型配电与算力供电范畴，作为高压直挂固态变压器焦点元件，可支持智能电网建立，同时简化算力中央供电架构，打造节能型绿色算力底子办法；在高压柔性直流输电范畴，其应用可将传统串联器件数目淘汰60%以上，简化体系布局，助力我国电力装备财产摆脱对入口IGBT器件的依靠，实现“换道超车”。
) \7 ?  b. S" M??安海半导体负责人黄昕表现，此次10kV芯片高良率量产，实现了我国在该范畴从“跟跑”到“领跑”的超过，将来将继承拓展高压碳化硅应用界限，积极推进“产学研用”创新体系，提供更优质的功率办理方案，服务国家庞大战略需求、赋能财产升级。
??现在，安海半导体首批10kV碳化硅MOSFET芯片已顺遂出货。黄昕表现，安海半导体正携部下游头部客户，加快推进器件封装、驱动等相干技能进步，推动该芯片在船舶、高铁、算力中央及智能电网等范畴的应用落地。（记者吴蔚）

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